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自支撑碳衬底上电沉积镧系与錒系元素

知识产权类型

商业秘密
技术领域

核物理与核化学
应用领域/场景

新核素合成与反应截面研究
适宜转化地区/区域

全国
技术成熟度

已有样品
合作方式

合作方式另议
联系人

杨春莉
邮箱

Chunliyang@impcas.ac.cn
成果简介

3-9 μm厚度的多种石墨烯膜与碳纳米管膜上实现镧系元素与锕系元素的高效电沉积，沉积层厚度最高至500 微克/平方厘米，适用于核物理实验研究与其他强流辐照靶实验